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专利名称：半导体器件专利类型：实用新型专利发明人：不公告发明人申请号：CN201821545366.7申请日：20180920公开号：CN2023135U公开日：20190531
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，其半导体衬底中形成有沿第二方向延伸的第二沟槽，且第二沟槽两侧交错排布有U型鳍片，所述U型鳍片中具有沿第一方向延伸的第一沟槽，第一源/漏区形成在所述U型鳍片的竖直鳍片部的顶端部中，第二源/漏区形成在所述U型鳍片的水平鳍片部中，栅极环绕在所述竖直鳍片部上，埋入式导线填充在所述第二沟槽中，由此使得所述U型鳍片中的两个第一源/漏区分、两个栅极以及一个第二源/漏区形成了两个环栅晶体管，有利于增加栅极对沟道的控制力，克服短沟道效应，进而有利于更小的特征尺寸和更高的集成度；且由于第二沟槽两侧的U型鳍片交错排布，能改善相邻的第二源/漏区之间的耦合效应，提高器件性能。
申请人：长鑫存储技术有限公司
地址：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：智云
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